Умная резка — это технологический процесс, позволяющий переносить очень тонкие слои кристаллического кремниевого материала на механическую опору. Он был изобретен Мишелем Брюэлем из CEA-Leti и защищен патентом США 5374564. Применение этой технологической процедуры в основном касается производства подложек пластин кремний-на-изоляторе (SOI).
Роль SOI заключается в электронной изоляции тонкого слоя монокристаллического кремния от остальной части кремниевой пластины; сверхтонкая кремниевая пленка переносится на механическую опору, тем самым создавая промежуточный, изолирующий слой. Производители полупроводников могут затем изготавливать интегральные схемы на верхнем слое пластин SOI, используя те же процессы, которые они использовали бы на обычных кремниевых пластинах.
Последовательность иллюстраций наглядно описывает процесс изготовления пластин КНИ с использованием технологии интеллектуальной резки.