Формирование наночастиц путем ионной имплантации — это метод создания частиц нанометрового размера для использования в электронике.
Ионная имплантация
Ионная имплантация — это метод, широко используемый в области материаловедения для модификации материалов. Эффект, который она оказывает на наноматериалы, позволяет манипулировать механическими, электронными, морфологическими и оптическими свойствами.
Одномерные наноматериалы вносят важный вклад в создание наноустройств, таких как полевые транзисторы, наногенераторы и солнечные элементы. Они предлагают потенциал высокой плотности интеграции, низкого энергопотребления, более высокой скорости и сверхвысокой частоты.
Эффекты ионной имплантации варьируются в зависимости от множества переменных. Во время имплантации может возникнуть каскад столкновений, что приводит к появлению междоузлий и вакансий в материалах мишени (хотя эти дефекты можно уменьшить за счет динамического отжига). Виды столкновений — это ядерное столкновение, столкновение электронов и перезарядка. Другим процессом является эффект распыления, который существенно влияет на морфологию и форму наноматериалов.
Эта статья о нанотехнологиях — заглушка. Вы можете помочь, расширив ее.